Источники питанияНовый продукт

Microchip и Navitas представили преобразователь 800 В → 6 В

Дата публикации:

13

Microchip и Navitas Semiconductor представили референсный преобразователь 800 В → 6 В DC/DC для питания высокопроизводительных AI-серверов. Платформа сочетает цифровое управление dsPIC33AK, аппаратную защиту TA100 и силовые GaNFast-транзисторы Navitas.

Microchip и Navitas представили преобразователь 800 В → 6 В
Изображение: Microchip / Navitas Semiconductor

Microchip Technology и Navitas Semiconductor разработали референсную платформу для прямого преобразования постоянного напряжения 800 В в 6 В. Решение предназначено для будущих AI-стоек с высоковольтной системой распределения питания, соответствующей архитектуре Open Compute Project.

Переход на 800-В шину рассматривается как способ уменьшить токи при передаче большой мощности внутри вычислительной инфраструктуры. Особенно актуальным это становится для стоек с большим количеством GPU, где суммарная потребляемая мощность продолжает расти.

Из 800 В сразу в 6 В

В традиционной схеме преобразование может выполняться в два этапа – сначала с 800 В до промежуточной шины около 50 В, а затем с 50 В до напряжения, используемого непосредственно рядом с вычислительными ускорителями.

Новая платформа объединяет эти этапы в одном преобразователе 800 В → 6 В. По данным разработчиков, такой подход должен уменьшить количество промежуточных преобразований и повысить общую эффективность распределения энергии.

Силовая часть использует 16 транзисторов Navitas NV6034 GaNFast с допустимым напряжением 650 В и сопротивлением открытого канала 17 мОм. Они работают в многоуровневой схеме на первичной стороне преобразователя.

ПараметрЗначение
Входное напряжение800 В DC
Выходное напряжение6 В DC
Силовые ключи16 × Navitas NV6034 GaNFast
Напряжение GaN-транзисторов650 В
RDS(on) NV603417 мОм
Частота переключения1 МГц
Заявленная эффективностьДо 96%
Плотность мощностиДо 2100 Вт/дюйм³
КонтроллерMicrochip dsPIC33AK
Аппаратная безопасностьMicrochip TA100 CryptoAuthentication

Управление на dsPIC33AK

Цифровое управление реализовано на контроллерах семейства dsPIC33AK256MPS306. Они используют 32-битное ядро с частотой 200 МГц, блок вычислений с двойной точностью, высокоточный PWM с разрешением до 78 пс и 12-битные АЦП со скоростью до 40 млн выборок в секунду.

Высокая частота управления необходима для регулирования силового преобразователя, работающего на частоте переключения 1 МГц.

Отдельная микросхема TA100 CryptoAuthentication формирует аппаратный корень доверия. Она может использоваться для проверки подлинности кода, безопасной загрузки, защищённого обновления прошивки и хранения криптографических ключей.

GaN для высокой плотности мощности

Navitas использовала корпуса DFN 8 × 8 мм с двухсторонним отводом тепла. Производитель связывает применение GaN с возможностью работать на высокой частоте при небольших размерах силовой части.

Для референсной платы заявлена плотность мощности до 2100 Вт/дюйм³ и эффективность до 96%. Microchip также указывает, что низкопрофильная конструкция приблизительно на 20% тоньше современного смартфона и рассчитана на размещение непосредственно рядом с GPU-платой.

Готовая платформа включает не только аппаратную часть, но также программное обеспечение и документацию для разработчиков. Публичная демонстрация решения запланирована на OCP Global Summit 2026, который пройдёт 12–15 октября.

Email не публикуется и используется только для уведомлений. Ссылки в комментариях запрещены. Комментарий появится после проверки модератором.

Комментарии (0)

Связанные публикации

Infineon представила XDP8HD40S-1
Источники питанияНовый продукт

Infineon представила XDP8HD40S-1

Infineon представила XDP8HD40S-1 – высоковольтный контроллер Hot-Swap для AI-серверов с шиной 800 В. Микросхема поддерживает цифровую защиту SOA, PMBus 1.5, мониторинг напряжения и тока, регистрацию аварийных событий.

Infineon Technologies 1 0
Renesas выпустила четыре 100-В GaN-транзистора
Источники питанияНовый продукт

Renesas выпустила четыре 100-В GaN-транзистора

Renesas выпустила первые низковольтные GaN-транзисторы компании на 100 В. Четыре модели имеют сопротивление открытого канала от 5 до 1,2 мОм и рассчитаны на AI-серверы, 48-В преобразователи, робототехнику и электроприводы.

Renesas 8 0
Renesas представила TP65H020G4PLSGBD
Источники питанияНовый продукт

Renesas представила TP65H020G4PLSGBD

Renesas представила TP65H020G4PLSGBD – 650-вольтовый GaN-транзистор с сопротивлением 20 мОм и двусторонним охлаждением. Корпус PQFN 8 × 8 мм занимает на 57% меньше площади, чем TOLT.

Renesas 3 0