Renesas представила TP65H020G4PLSGBD
Renesas представила TP65H020G4PLSGBD – новый GaN-транзистор на 650 В для высокоплотных преобразователей питания. Модель получила сопротивление открытого канала 20 мОм и компактный корпус PQFN 8 × 8 мм с отводом тепла сразу через верхнюю и нижнюю стороны.
Рост мощности AI-серверов создаёт довольно простую физическую проблему: через всё меньшую площадь платы приходится передавать всё больше энергии, а выделяемое тепло нужно каким-то образом отводить.
Новый Renesas TP65H020G4PLSGBD рассчитан именно на такие преобразователи. Это GaN-ключ на 650 В с типичным сопротивлением открытого канала 20 мОм, выполненный в корпусе PQFN размером всего 8 × 8 мм.
Главное отличие корпуса – двустороннее охлаждение.
Тепло отводится сразу с двух сторон
В обычном силовом корпусе основной тепловой поток часто направлен только к плате или только к верхней поверхности.
TP65H020G4PLSGBD позволяет отводить тепло одновременно через верхнюю и нижнюю стороны корпуса. По данным Renesas, это уменьшает тепловое сопротивление со стороны верхней поверхности примерно на 10%.
Одновременно площадь корпуса стала на 57% меньше, чем у используемого компанией TOLT размером 10 × 15 мм.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель | TP65H020G4PLSGBD |
| Технология | GaN Gen IV Plus |
| Напряжение VDS | 650 В |
| Типичное RDS(on) | 20 мОм |
| Максимальное RDS(on) | 25 мОм |
| Корпус | PQFN с двусторонним охлаждением |
| Размер корпуса | 8 × 8 мм |
| Максимальный ток при Ta 25 °C | 92 А |
| Диапазон температур | -55…+150 °C |
| Статус | Инженерные образцы |
| Серийное производство | Середина 2027 года |
Для новых 800-вольтовых стоек питания
Renesas ориентирует новый GaN прежде всего на архитектуры дата-центров, где высоковольтная шина около 800 В DC используется для передачи энергии внутри стойки.
Затем промежуточный преобразователь снижает напряжение до 48 В, 12 В или 6 В для последующих силовых каскадов.
Именно здесь высокая частота переключения GaN позволяет уменьшать трансформаторы, дроссели и другие пассивные компоненты.
TP65H020G4PLSGBD рассчитан не только на AI-серверы. Среди применений Renesas также указывает телекоммуникационные источники питания, солнечные инверторы, UPS, зарядные станции и аккумуляторные системы хранения энергии.
Обычный драйвер вместо специального GaN-драйвера
Внутри используется высоковольтный depletion-mode GaN HEMT вместе с низковольтным кремниевым MOSFET.
Такая схема формирует нормально закрытый ключ и позволяет управлять им с помощью распространённых кремниевых драйверов затвора.
Renesas отдельно подчёркивает, что устройству не требуется отрицательное напряжение на затворе.
Это упрощает замену существующего силового ключа на GaN без полной переработки управляющей части преобразователя.
Проверили на преобразователе 6 кВт
Компания уже собрала с новым транзистором референсный LLC DCX-преобразователь мощностью 6 кВт, преобразующий 800 В в 48 В.
Заявленная плотность мощности достигает 2,6 кВт/дюйм³.
В собственном сравнении Renesas эффективность при полной нагрузке оказалась на 0,21% выше, чем у аналогичной платы на транзисторе в корпусе TOLT.
Небольшая разница в процентах для многокиловаттного источника уже означает заметное снижение тепловых потерь, особенно если таких модулей в стойке десятки.
Сейчас Renesas передаёт инженерные образцы TP65H020G4PLSGBD крупным производителям оборудования для AI-дата-центров. Массовое производство компания планирует начать в середине 2027 года.
Комментарии (0)