Renesas выпустила четыре 100-В GaN-транзистора
Renesas представила первые низковольтные 100-В GaN-транзисторы собственного портфеля. В семейство вошли четыре модели с типичным RDS(on) от 5 до 1,2 мОм для 48-В преобразователей, AI-серверов, робототехники и промышленных приводов.
Renesas расширила линейку силовых GaN-компонентов и выпустила свои первые низковольтные транзисторы на 100 В. В новую серию вошли RTP100E005G1FL, RTP100E2P6G1FL, RTP100E1P8G1FL-DSC и RTP100E1P2G1FL-DSC.
Компоненты построены по схеме enhancement mode – в обычном состоянии транзистор закрыт. Renesas ориентирует их на системы с высокой плотностью мощности, включая AI-серверы, 48-В преобразователи, роботов, промышленные приводы, электроинструмент и солнечные микроинверторы.
От 5 до 1,2 мОм
Самая компактная модель RTP100E005G1FL имеет типичное сопротивление открытого канала 5 мОм и выпускается в корпусе FCLGA размером 3,3 × 3,3 мм.
RTP100E2P6G1FL снижает RDS(on) до 2,6 мОм и использует корпус 5 × 6 мм.
Две старшие модели получили двустороннее охлаждение DSC. Для RTP100E1P8G1FL-DSC заявлено 1,8 мОм, а для RTP100E1P2G1FL-DSC – 1,2 мОм.
| Модель | Напряжение | RDS(on), тип. | Корпус |
|---|---|---|---|
| RTP100E005G1FL | 100 В | 5 мОм | FCLGA 3,3 × 3,3 мм |
| RTP100E2P6G1FL | 100 В | 2,6 мОм | FCLGA 5 × 6 мм |
| RTP100E1P8G1FL-DSC | 100 В | 1,8 мОм | FCLGA DSC |
| RTP100E1P2G1FL-DSC | 100 В | 1,2 мОм | FCLGA DSC 5 × 6 мм |
Все четыре устройства используют GaN-технологию Renesas первого поколения REXGaN и имеют нулевой заряд обратного восстановления Qrr. Для высокочастотных преобразователей это важно, поскольку потери при переключении становятся одной из основных составляющих общего нагрева.
Для 48-В шин AI-серверов
Один из основных сценариев для новых транзисторов – преобразование напряжения в современных вычислительных стойках.
В AI-инфраструктуре всё чаще используется распределение высокого постоянного напряжения с последующим переходом на локальную 48-В шину. Уже после этого многофазные преобразователи формируют низкие напряжения питания процессоров и ускорителей.
Повышение частоты переключения позволяет уменьшать трансформаторы, дроссели и другие пассивные компоненты, но одновременно увеличивает требования к силовым ключам. GaN-транзисторы рассчитаны именно на работу в таких высокочастотных каскадах.
По данным Renesas, новые компоненты могут обеспечить на 40–70% меньшие коммутационные потери и до двукратного увеличения плотности мощности системы в зависимости от топологии и режима работы.
Можно заменить кремниевые MOSFET
Renesas использует корпуса с посадочными местами, совместимыми с распространёнными решениями на кремниевых MOSFET.
Это должно упростить переход на GaN без полной переработки печатной платы. Компания отдельно подчёркивает низкие значения заряда затвора Qg и выходного заряда Qoss.
Для сравнения RTP100E005G1FL имеет типичный Qg 5,2 нКл и Qoss 24,2 нКл. Максимальный постоянный ток при температуре окружающей среды 25 °C заявлен на уровне 17 А.
Есть готовые оценочные платы
Для всех четырёх моделей Renesas подготовила отдельные evaluation board.
Например, EVB-RTP100E005G1FL построена как синхронный понижающий преобразователь с двумя RTP100E005G1FL и драйвером RRP68150. Плата рассчитана на вход 48 В, выход 12 В и мощность до 240 Вт, а частоту переключения можно менять от 250 кГц до 1 МГц.
Для RTP100E2P6G1FL доступна плата с выходной мощностью до 330 Вт.
Новые GaN-транзисторы и соответствующие отладочные платы уже доступны разработчикам.
Комментарии (0)