SK hynix инвестирует 54 трлн вон в новые фабрики памяти для ИИ
SK hynix утвердила строительство двух новых полупроводниковых фабрик общей стоимостью около 54 трлн вон. Yongin Y2 станет базой для HBM и следующего поколения DRAM, а Cheongju M17 предназначена для расширения производства NAND.
SK hynix увеличивает производственные мощности сразу по двум направлениям памяти. Совет директоров компании утвердил около 35,2 трлн вон для фабрики Yongin Y2 и ещё 19,1 трлн вон для Cheongju M17.
Компания связывает инвестиции с ростом систем искусственного интеллекта. Для обучения моделей требуется всё больше HBM и DRAM, а при инференсе увеличивается нагрузка на корпоративные SSD и NAND-память.
| Фабрика | Основное направление | Инвестиции | Площадь | Первая чистая комната |
|---|---|---|---|---|
| Yongin Y2 | HBM и DRAM | 35,2 трлн вон | около 1,13 млн м² | июнь 2029 года |
| Cheongju M17 | NAND | 19,1 трлн вон | около 680 тыс. м² | декабрь 2028 года |
Yongin Y2 станет второй из четырёх фабрик, запланированных в полупроводниковом кластере Yongin. Строительство должно начаться в июле 2027 года. После запуска предприятие будет выпускать высокоскоростную память HBM и другие поколения DRAM.
M17 начнут строить раньше – в феврале 2027 года. SK hynix выбрала существующую площадку в Cheongju, где уже работают фабрики M11, M12 и M15. Там есть готовая инфраструктура электроснабжения и водоснабжения, поэтому новую производственную линию можно запустить быстрее.
Интересно и объяснение компании по поводу NAND. SK hynix отмечает рост спроса на корпоративные SSD не только для хранения моделей, но и для KV Cache при инференсе ИИ. Часть уже вычисленных данных модели сохраняется и повторно используется, чтобы не выполнять одни и те же операции заново.
В официальном сообщении SK hynix приводится прогноз Omdia, согласно которому спрос и на DRAM, и на NAND до 2030 года может расти в среднем на 19% в год.
Для рынка это важный сигнал: инфраструктура ИИ начинает влиять не только на производство HBM. SK hynix отдельно рассчитывает на рост обычной DRAM, NAND и корпоративных SSD.
Похожее направление видно и у Samsung, которая недавно показала zHBM и более чем 400-слойную V10 BV-NAND. Производители памяти одновременно увеличивают производственные мощности и меняют архитектуру самой памяти под новые нагрузки.
Комментарии (0)