Samsung показала zHBM и 400-слойную память V10 BV-NAND
Samsung показала новые архитектуры памяти для ускорителей искусственного интеллекта. Концепция zHBM предусматривает вертикальную установку HBM непосредственно над процессором, а V10 BV-NAND получила более 400 слоёв и новую технологию соединения пластин.
Современные ИИ-ускорители ограничены не только скоростью вычислений. Значительная часть энергии и времени расходуется на перенос данных между процессором и расположенными рядом микросхемами памяти.
В обычной системе несколько корпусов HBM размещаются вокруг ускорителя. Концепция Samsung zHBM предусматривает установку памяти непосредственно над процессором. Уменьшение расстояния должно повысить пропускную способность и снизить затраты энергии на передачу данных.
| Разработка | Основная идея | Назначение |
|---|---|---|
| zHBM | Вертикальная установка HBM над ИИ-ускорителем | Обучение и запуск крупных моделей |
| zNAND-O | Многоуровневая высокоскоростная NAND-память | Edge AI и обработка данных в реальном времени |
| V10 BV-NAND | Более 400 слоёв и соединение отдельных пластин | SSD и системы хранения высокой ёмкости |
По расчётам Samsung, будущая система с zHBM сможет обеспечить примерно восьмикратный прирост производительности относительно HBM5. Компания также заявляет более чем десятикратный рост плотности, трёхкратное повышение энергоэффективности и сокращение теплового сопротивления более чем вдвое.
Эти цифры относятся к перспективной архитектуре, а не к серийному модулю, который уже можно установить в сервер.
zNAND-O разрабатывается в вариантах с четырьмя и восемью слоями. Она рассчитана на задачи, где требуется низкая задержка при работе с большими массивами данных непосредственно рядом с вычислительным устройством.
Более близкой к практическому применению стала V10 BV-NAND. Samsung разделила производство ячеек памяти и управляющей периферии на разные пластины, после чего соединила их методом wafer bonding.
Новое поколение содержит более 400 слоёв. Плотность хранения выросла примерно на 58% по сравнению с V9, одновременно улучшены операции чтения, записи и обмена данными.
Samsung также показала HBM4E, HBM5, память LPDDR5X-PIM с обработкой данных внутри самой памяти и корпоративные накопители PM1763 и BM1773.
Комментарии (0)