CXMT запустила G5 – новую технологию DRAM и 24-Гбит LPDDR5X с ростом плотности на 50%
CXMT объявила о массовом производстве пятого поколения своей DRAM-технологии G5 и показала два новых LPDDR5X-чипа ёмкостью 24 Гбит на кристалл. Они выпускаются в корпусах на 496 и 245 контактов и уже находятся в серийном производстве.
CXMT объявила о начале массового производства пятого поколения своей технологии DRAM – платформы G5. Одновременно компания представила два новых LPDDR5X-продукта с ёмкостью 24 Гбит на один кристалл.
Одним из ключевых параметров G5 стала плотность размещения элементов памяти. По данным CXMT, половина шага активной области массива уменьшена до 11,95 нм. Для формирования структуры используется технология четырёхкратного паттернинга SAQP.
Компания также сообщает о соотношении высоты к ширине конденсатора памяти 45:1. Высота области ядра массива уменьшена до 6762 нм за счёт применения адаптированного для DRAM процесса High-k Metal Gate.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Технологическая платформа | CXMT G5 |
| Тип памяти новых продуктов | LPDDR5X |
| Ёмкость одного кристалла | 24 Гбит |
| Корпуса | 496 контактов и 245 контактов |
| Половина шага активной области | 11,95 нм |
| Соотношение сторон конденсатора | 45:1 |
| Высота области ядра массива | 6762 нм |
| Рост количества кристаллов с пластины | Не менее 50% относительно G4 |
| Статус | Массовое производство |
По данным CXMT, новая технология позволяет получать с одной пластины как минимум на 50% больше кристаллов, чем платформа четвёртого поколения. Для сравнения производитель нормализовал расчёт на плотность 8 Гбит, поэтому эта цифра относится именно к технологической эффективности производства, а не непосредственно к производительности памяти.
Два представленных LPDDR5X-чипа имеют плотность 24 Гбит на кристалл – на 50% больше, чем у сопоставимых продуктов предыдущего поколения компании. Один вариант выпускается в корпусе на 496 контактов, второй – на 245.
Новые микросхемы предназначены прежде всего для смартфонов и другой портативной электроники. CXMT сообщает, что обе версии уже находятся в массовом производстве.
При разработке G5 компания также использовала цифровую модель технологического процесса, охватывающую проектирование, подготовку производства, изготовление и контроль выхода годных кристаллов. Производитель упоминает изменения в структурах saddle-fin, интерфейсных слоях и low-k изоляции битовых линий.
В опубликованном анонсе CXMT не указывает максимальную скорость передачи данных новых 24-Гбит LPDDR5X. Поэтому характеристики ранее выпущенных LPDDR5X компании нельзя автоматически переносить на продукты G5.
Комментарии (0)